교육 대상

 ◼ VLSI의 제조 및 설계에 관련된 분야에서 일하면서  MOSFET(전계효과 트랜지스터)의 체계적인 이해와 시뮬레이션 방법, 소자 구조의 최신경향 등에 관심 있는 연구원, 대학원생 및 학부생.

교육 내용

   - 반도체의 기본 물성과  P-N 접합에서 출발한 MOS 구조, MOSFET의 기본 개념
   - MOSFET의  디자인과  공정  과정에서  발생할  수  있는  중요한  문제들을  검토하여 미세소자에 대한 설계 및 응용능력 배양
   - MOSFET의 스케일링으로 인한 문제점들과 이를 개선하기 위한 최근의 미세 MOSFET 구조 및 특성 강의
   - 반도체 공정 시뮬레이터  ATHENA와 소자 시뮬레이터  ATLAS에 대한 실습
   - 실습결과 발표회에서 각 주제별로 강의교수가 참석하여 토론 및 질의응답을 통한 의문점 해결

 

  ◼ 등록기간: 2019. 6. 24.(월) ~ 7. 05.(금)
  ◼ 등록방법: http://isrc.snu.ac.kr/ → 온라인서비스 → 교육접수 → 심화교육선택
  ◼ 등록시 제공: 강의 교재, 수료증
  ◼문의처
   - 담  당: 방소연
   - 연락처: 010-3226-2311
   - 이메일: thdussy@snu.ac.kr